|
Солнечные элементы производятся на основе
монокристаллического кремния как "p", так и "n" типа
проводимости. Базовая структура :
- n+ - p - p + структура на кремнии "p" типа,
- p+ - n - n + структура на кремнии "n" типа,
т.е. фотопреобразователь (СЭ) с полем на
тыльной поверхности (ПТП СЭ), рис. 1. Рабочая поверхность
текстурирована, соответственно ориентации пластин кремния
(100). Тыльная поверхность - гладкая. Контакты на рабочей и
тыльной поверхностях - сетчатые, полученные осаждением паст
методом трафаретной печати.
Сейчас уже добиваются существенного повышения КПД ФЭП за
счёт создания преобразователей с двусторонней
чувствительностью (до +80 % к уже имеющемуся КПД одной
стороны), применения люминесцентно переизлучающих структур,
предварительного разложения солнечного спектра на две или
более спектральные области с помощью многослойных плёночных
светоделителей с последующим преобразованием каждого участка
спектра отдельным ФЭП. |